MT29F4G16ABADAH4-IT:D TR是一款由美光科技生产的4Gb容量NAND闪存存储器，采用并联接口和16位数据位宽（256M x 16）。该芯片基于非易失性闪存技术，确保数据在断电后持久保存。
其核心特性包括2.7V至3.6V的宽电压供电范围，以及-40°C至85°C的工业级工作温度范围，保障了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。器件采用63-VFBGA小型化封装，以卷带（TR）形式交付，适用于高密度表面贴装生产。
这款并行接口闪存主要面向需要中等存储容量、较高数据吞吐率及工业环境适应性的嵌入式应用，为系统提供可靠的非易失性存储解决方案。需注意，该产品目前已处于停产状态。
- 型号:MT29F4G16ABADAH4-IT:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:256M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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