MT41K64M16JT-15E:G是美光科技生产的一款1Gb容量DDR3L SDRAM芯片，采用64M x 16位的存储结构。该器件基于低电压DDR3L技术，核心工作电压范围为1.283V至1.45V，在提供高性能的同时有效降低了系统功耗。
其数据传输速率高达1333 MT/s（对应时钟频率667MHz），访问时间为13.5ns，能够满足高速数据处理的需求。芯片采用96-TFBGA封装，支持表面贴装，工作温度范围为0°C至95°C（TC），具备良好的环境适应性。这些参数共同构成了其在嵌入式系统和网络设备中作为高速、可靠主存储或缓存解决方案的核心优势。
- 型号:MT41K64M16JT-15E:G
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（8x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:64M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:667 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.5 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（8x14）
- 想获取MT41K64M16JT-15E:G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
