MT49H32M18SJ-18:B

MT49H32M18SJ-18:B是美光科技生产的一款576Mb容量、并行接口的DRAM芯片。其核心架构为32M字×18位组织，通过533MHz的高时钟频率和18位宽数据总线，能够提供出色的数据传输带宽，满足对内存吞吐量要求苛刻的应用需求。

该器件采用1.7V至1.9V供电，访问时间为15ns，在性能和功耗之间取得了良好平衡。其表面贴装型的144-TFBGA封装适合高密度板卡设计。作为一款易失性存储器，它主要用于需要高速数据缓存和处理的网络、图形及嵌入式系统中。

• 型号:MT49H32M18SJ-18:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
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