MT29F4G16ABADAH4-AIT:D是美光科技推出的一款4Gb（256M x 16位组织）容量、并行接口的NAND闪存芯片。该器件采用非易失性存储技术，提供512MB的有效存储空间，其并联接口架构为需要高带宽数据存取的应用提供了高效的数据通路。
芯片设计用于在2.7V至3.6V的宽电源电压范围内工作，并支持-40°C至85°C的工业级扩展工作温度，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。产品采用63-VFBGA小型化表面贴装封装，适用于空间紧凑的嵌入式设计，是工业控制、网络设备、汽车电子及其他需要可靠、中等容量存储解决方案领域的合适选择。
- 型号:MT29F4G16ABADAH4-AIT:D
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:256M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
- 想获取MT29F4G16ABADAH4-AIT:D的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
