MT29F128G08CBEBBL85C3WC1-R

MT29F128G08CBEBBL85C3WC1-R是美光科技生产的一款128Gb容量并行接口NAND闪存芯片。它采用非易失性存储技术，内部结构为16G x 8位，为核心数据存储提供了高密度的解决方案。

该器件工作电压为2.7V至3.6V，兼容广泛的嵌入式系统电源设计，并能在0°C至70°C的环境温度下稳定工作，满足商业及工业应用的基本要求。其并联接口架构旨在实现高效的数据传输，适用于对存储带宽有较高要求的场景。

作为有源产品，它主要面向需要大容量、可靠闪存存储的应用，如工业控制系统、数据存储模块和各类网络设备，为固件、系统数据和用户文件提供关键的存储支持。

• 型号:MT29F128G08CBEBBL85C3WC1-R
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:模具
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128GBIT PARALLEL DIE
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:128Gb
• 存储器组织:16G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:模具
• 供应商器件封装:模具
• 想获取MT29F128G08CBEBBL85C3WC1-R的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料