MT29F4G08ABBFAH4-AATES:F TR

MT29F4G08ABBFAH4-AATES:F TR是美光科技推出的一款4Gb（512M x 8）并行接口NAND闪存，采用63-VFBGA封装和卷带包装。该器件基于非易失性闪存技术，核心卖点在于其符合AEC-Q100标准的车规级可靠性，工作温度范围覆盖-40°C至105°C，能够满足汽车及工业等严苛环境的应用需求。

其1.7V至1.95V的低电压供电范围有助于降低系统整体功耗。作为一款有源器件，它提供了高密度的存储解决方案，适用于需要稳定数据存储和宽温操作的各种嵌入式系统设计。

• 制造商产品型号：MT29F4G08ABBFAH4-AATES:F TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：Automotive, AEC-Q100
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：4Gb（512M x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：-40°C ~ 105°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：63-VFBGA
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