MT45W4MW16BFB-706 WT是美光科技生产的一款64Mb（4M x 16）并行接口PSRAM芯片，采用54-VFBGA封装。该器件将DRAM的高存储密度与SRAM的简易接口相结合，内部集成刷新电路，无需外部控制器，简化了系统设计。
其核心性能参数包括70ns的访问/写周期时间，以及1.7V至1.95V的宽工作电压范围，兼顾了速度与低功耗需求。工作温度范围为-30°C至85°C，适用于对可靠性要求较高的工业与扩展商业环境。这款易失性存储器为需要中等容量、高速数据缓冲的应用提供了一个高效的解决方案。
- 型号:MT45W4MW16BFB-706 WT
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:54-VFBGA（6x9）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC PSRAM 64MBIT PARALLEL 54VFBGA
- 系列:-
- 包装:盒
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:PSRAM
- 技术:PSRAM（伪 SRAM）
- 存储容量:64Mbit
- 存储器组织:4M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:54-VFBGA
- 供应商器件封装:54-VFBGA（6x9）
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