MT49H32M18CFM-25E:B 是美光科技生产的一款576Mb容量并行DRAM芯片，采用32M x 18的组织结构。该器件设计用于提供高带宽数据访问，其核心特性包括高达400MHz的时钟频率和15ns的快速访问时间，能够有效满足实时数据处理系统的性能需求。
芯片工作在1.7V至1.9V的电压范围内，采用144-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至95°C（TC），确保了在多种应用环境下的可靠性和兼容性。其并联接口和易失性存储格式使其成为网络设备、工业控制系统及高端图像处理设备中高速缓存的理想选择。
- 型号:MT49H32M18CFM-25E:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:576Mb
- 存储器组织:32M x 18
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:15 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
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