MT29F4G08ABBEAH4-IT:E TR是美光科技生产的一款4Gb容量NAND闪存芯片，采用512M x 8位的组织结构与并行接口。该器件设计用于提供高密度、非易失性的数据存储解决方案，其1.7V至1.95V的低工作电压范围有助于实现系统级节能。
芯片采用63-VFBGA表面贴装封装，支持-40°C至85°C的工业级工作温度，确保了在苛刻环境下的可靠运行。其卷带（TR）包装形式适配自动化生产流程，提升了制造效率。此型号适用于需要稳定、大容量存储且对功耗和温度范围有明确要求的各类嵌入式及工业应用。
- 型号:MT29F4G08ABBEAH4-IT:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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