M25PE40-VMN3TPB TR是美光科技推出的一款4Mb容量串行NOR闪存存储器。该器件采用标准的SPI接口,时钟频率最高可达75MHz,确保了高速的数据传输能力。其组织架构为512K x 8位,支持以页为单位进行快速编程,并具备宽电压(2.7V-3.6V)和宽温度(-40°C至125°C)工作范围,满足工业级应用的可靠性要求。
芯片提供快速的页编程(3ms)和字编程(15ms)时间,以及高效的扇区擦除功能,优化了系统固件更新和数据记录的效率。其8引脚SOIC封装形式节省了电路板空间,适用于空间受限的嵌入式设计。这些特性使其成为存储启动代码、应用程序或配置数据的理想选择,广泛应用于工业控制、汽车电子及消费类设备等领域。
- 型号:M25PE40-VMN3TPB TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:8-SO
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4MBIT SPI 75MHZ 8SO
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:4Mb
- 存储器组织:512K x 8
- 存储器接口:SPI
- 时钟频率:75 MHz
- 写周期时间 - 字,页:15ms,3ms
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SO
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