M29W200BT70N6E是美光科技生产的一款2Mb容量并行NOR闪存芯片，采用48-TSOP封装。它提供256K x 8位或128K x 16位的灵活存储组织方式，支持快速的随机访问，访问时间与写周期时间均为70ns，适用于需要可靠代码存储和执行的嵌入式系统。
该芯片工作电压范围为2.7V至3.6V，兼容3V逻辑系统，并能在-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定运行，确保了在严苛环境下的可靠性。其标准的并行接口便于与微控制器直接连接，简化了硬件设计。作为一款已停产的产品，它主要服务于现有设备的维护与延续性生产需求。
- 型号:M29W200BT70N6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:2Mb
- 存储器组织:256K x 8，128K x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP
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