MT29F4G08ABBDAH4-ITE:D是美光科技生产的一款4Gb（512M x 8位）容量NAND闪存芯片，采用并联接口和63-VFBGA封装。该器件基于非易失性存储技术，确保数据在断电后得以保存，其1.7V至1.95V的宽电压供电范围有助于实现低功耗设计。
该芯片支持标准的NAND闪存操作，其并联接口结构便于系统集成与数据交换。产品具备工业级可靠性，工作温度范围为-40°C至85°C，适用于对环境适应性有要求的应用。作为一款已停产的成熟器件，它为目标应用提供了经过验证的稳定存储解决方案。
- 型号:MT29F4G08ABBDAH4-ITE:D
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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