MT29F4G08ABAFAH4-AIT:F TR是美光科技推出的一款4Gb（512M x 8）并行接口NAND闪存芯片，采用63-VFBGA封装。该器件属于Automotive, AEC-Q100认证系列，具备汽车级可靠性，工作温度范围达-40°C至85°C，适用于严苛环境。
其核心优势在于宽电压供电（2.7V~3.6V）带来的设计灵活性，以及并行接口提供的高效数据吞吐能力。作为非易失性存储器，它为需要大容量、高可靠数据存储的嵌入式系统提供了经过验证的解决方案。
- 型号:MT29F4G08ABAFAH4-AIT:F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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