MT29F128G08AEEBBH6-12:B TR

MT29F128G08AEEBBH6-12:B TR是美光科技推出的一款128Gb容量并行接口NAND闪存芯片，采用MLC技术，组织架构为16G x 8位。该器件工作电压为2.7V至3.6V，时钟频率最高可达83MHz，旨在提供较高的数据带宽和稳定的非易失性存储。

其152球VBGA封装和卷带包装适合自动化生产。该芯片适用于广泛需要中等性能和大容量存储的嵌入式应用，其参数组合体现了在容量、速度与成本之间的经典平衡。请注意，此型号产品目前已停产。

• 制造商产品型号：MT29F128G08AEEBBH6-12:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：128Gb（16G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：83MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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