MT29F4G08ABAFAH4-AAT:F TR是美光科技推出的一款4Gb（512M x 8）并行接口NAND闪存芯片，属于其Automotive系列产品并通过了AEC-Q100认证。该器件采用非易失性存储技术，可在断电后永久保存数据，其核心优势在于满足汽车电子对高可靠性的严苛要求。
该芯片工作电压为2.7V至3.6V，并支持-40°C至105°C的宽工作温度范围，确保在极端气候条件下的稳定运行。采用63-VFBGA小型化表面贴装封装，并以卷带形式供货，非常适合需要高可靠性、大容量存储且空间受限的汽车电子及工业嵌入式应用。
- 型号:MT29F4G08ABAFAH4-AAT:F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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