MT29F1G08ABBDAH4:D 是美光科技生产的一款1Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口，内部结构为128M x 8位。该器件设计用于需要非易失性数据存储的各类电子系统。
其核心特性包括1.7V至1.95V的宽电压供电范围，支持低功耗设计，并采用63-VFBGA表面贴装封装，满足紧凑空间布局需求。作为一款并联接口闪存，它提供了高效的数据传输路径，适用于进行块数据读写操作的应用场景。
该芯片工作于商业级温度范围（0°C至70°C），主要面向工业控制、网络设备、消费电子等领域的嵌入式存储解决方案，提供可靠的数据存储功能。
- 型号:MT29F1G08ABBDAH4:D
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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