MT29E2T08CTCCBJ7-6:C 是美光科技生产的一款2Tb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和152-LBGA封装。其核心架构组织为256G x 8位，提供高密度非易失性存储，适用于需要大规模数据本地缓存或存储的应用场景。
该器件支持167MHz时钟频率，配合并行数据总线，可实现较高的数据传输带宽。其工作电压范围为2.7V至3.6V，操作温度覆盖0°C至70°C，确保了在常见嵌入式环境中的兼容性与可靠性。作为一款已停产的产品，它代表了特定时期的高容量并行闪存解决方案，其技术参数对于系统评估或存量维护仍具有参考意义。
- 型号:MT29E2T08CTCCBJ7-6:C
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:152-LBGA（14x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2TB PARALLEL 152LBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Tb
- 存储器组织:256G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:167 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:152-LBGA
- 供应商器件封装:152-LBGA（14x18）
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