NAND256W3A0BZA6E

NAND256W3A0BZA6E 是美光科技生产的一款256Mb（32M x 8）并行接口NAND闪存，采用55-TFBGA封装。该芯片提供50ns的快速页写入和访问时间，工作电压范围为2.7V至3.6V，并支持-40°C至85°C的工业级工作温度，确保了在宽温环境下的可靠数据存储。

其核心优势在于成熟的并行NAND架构，适用于需要直接、简单存储器接口的嵌入式系统。该器件适用于存储固件、系统参数或用户数据，常见于工业控制、网络设备和消费电子等应用领域。请注意，此型号目前已处于停产状态。

• 制造商产品型号：NAND256W3A0BZA6E
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLSH 256MBIT PARALLEL 55VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：256Mb（32M x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：50ns
• 访问时间：50ns
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：55-TFBGA
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