MT29F256G08CBHBBL06B3WC1-R

MT29F256G08CBHBBL06B3WC1-R是美光科技推出的一款256Gb容量、采用并联接口的NAND闪存芯片。它基于非易失性闪存技术，内部结构为32G x 8位，提供了稳定的大容量数据存储解决方案。

该芯片工作电压范围为2.5V至3.6V，兼容性强，并能在0°C至70°C的环境温度下稳定工作，满足商业级应用的可靠性要求。其并行接口设计旨在优化大数据块的读写带宽，适用于对数据传输速率有较高要求的场景。

• 制造商产品型号：MT29F256G08CBHBBL06B3WC1-R
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 256GBIT PARALLEL WAFER
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：256Gb（32G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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