MT29F4G08ABADAH4-IT:D TR是美光科技推出的一款4Gb容量并行接口NAND闪存芯片，采用63-VFBGA表面贴装封装。该器件基于非易失存储技术，提供512M x 8位的存储结构，工作电压范围为2.7V至3.6V，确保在宽压环境下稳定运行。
其核心特性包括支持-40°C至85°C的工业级工作温度范围，适用于严苛环境下的数据存储需求。作为有源器件，它提供了可靠的数据保持能力和较高的存储密度，适合嵌入式系统、工业控制及汽车电子等对容量和可靠性有明确要求的应用场景。
- 型号:MT29F4G08ABADAH4-IT:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:最后售卖
- 南皇电子 可编程:已验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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