MT41J64M16LA-187E:B TR 是美光科技生产的一款1Gb容量DDR3 SDRAM存储器，采用64M x 16位的并行架构。该芯片基于成熟的DDR3技术，核心时钟频率为533MHz，实现高达1066MT/s的数据传输速率，能够有效满足中高性能系统对内存带宽的需求。
其工作电压为标准1.5V（范围1.425V~1.575V），有助于降低系统功耗。器件采用96-FBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至95°C，具备良好的环境适应性。这款易失性DRAM主要面向需要稳定、高速数据存取的嵌入式与网络通信等应用领域。
- 型号:MT41J64M16LA-187E:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（9x15.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:64M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-FBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（9x15.5）
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