MT29F3T08EUHBBM4-3RES:B TR

MT29F3T08EUHBBM4-3RES:B TR是美光科技推出的一款3Tb大容量并行接口NAND闪存芯片。该器件采用先进的闪存技术，提供384G x 8的存储结构，其并联接口支持高达333MHz的时钟频率，能够实现卓越的数据传输速率，满足高带宽应用需求。

芯片工作电压范围为2.5V至3.6V，具备良好的电源适应性，工作温度范围为0°C至70°C。其非易失性特性确保了数据在断电后依然得以保存，卷带包装便于自动化生产。这款芯片的核心卖点在于将海量存储与高速接口相结合，为数据中心、企业存储及高性能计算等领域的存储解决方案提供了高密度的核心组件。

• 制造商产品型号：MT29F3T08EUHBBM4-3RES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 3TB PARALLEL 333MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：3Tb（384G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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