MT46V64M8BN-6 IT:F是美光科技生产的一款512Mbit（64M x 8）DDR SDRAM芯片，采用并行接口和60-TFBGA封装。该器件基于DDR技术，在167MHz时钟频率下运行，实现双倍数据传输速率，并提供700ps的快速访问时间，有效提升系统数据吞吐性能。
其工作电压范围为2.3V至2.7V，并支持-40°C至85°C的宽温工作环境，确保了在工业及扩展温度应用中的稳定性和可靠性。该芯片适用于需要中等容量、高带宽内存的嵌入式系统，为各类数据处理任务提供高效的易失性存储支持。
- 型号:MT46V64M8BN-6 IT:F
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（10x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:167 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:700 ps
- 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
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