MT29F32G08AECCBH1-10Z:C TR是美光科技生产的一款32Gb容量NAND闪存芯片，采用并行接口，最高时钟频率100MHz，提供高速数据读写能力。其核心配置为4G x 8位，电压支持2.7V至3.6V，工作温度范围0°C至70°C，采用100-VFBGA表面贴装封装，适用于紧凑型嵌入式设计。
该器件基于非易失性闪存技术，确保数据在断电后不丢失。其并行接口便于与主机控制器直接连接，简化了系统集成。产品已停产，主要面向需要大容量、可靠存储的既有嵌入式系统和工业应用场景。
- 型号:MT29F32G08AECCBH1-10Z:C TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:100-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 32GBIT PARALLEL 100VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:32Gb
- 存储器组织:4G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:100 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:100-VBGA
- 供应商器件封装:100-VBGA（12x18）
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