MT29F1T08EEHBFJ4-T:B TR是美光科技推出的一款1Tb容量并行接口NAND闪存芯片。它采用3D TLC NAND技术，以128G x 8位的结构组织，提供了高存储密度和数据非易失性保障。
该器件工作电压为1.7V至1.95V，采用132-VBGA表面贴装封装，支持0°C至70°C的商业级工作温度范围。其并联接口设计为高速数据吞吐奠定了基础，适用于对存储带宽和容量有较高要求的应用场景。
- 制造商产品型号：MT29F1T08EEHBFJ4-T:B TR
- 制造商：Micron Technology（美光科技）
- 描述：IC FLASH 1TB PARALLEL 132VBGA
- 产品系列：存储器
- 包装：卷带（TR）
- 系列：-
- 零件状态：有源
- 存储器类型：非易失
- 存储器格式：闪存
- 技术：FLASH - NAND（TLC）
- 存储容量：1Tb（128G x 8）
- 存储器接口：并联
- 时钟频率：-
- 写周期时间-字，页：-
- 访问时间：-
- 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
- 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：表面贴装型
- 产品封装：132-VBGA
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