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MICRON
MT52L256M64D2LZ-107 WT:B TR的图片

MT52L256M64D2LZ-107 WT:B TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 16GBIT 933MHZ 216FBGA
原厂封装:封装:216-FBGA(12x12)
优势价格,MT52L256M64D2LZ-107 WT:B TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT52L256M64D2LZ-107 WT:B TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT52L256M64D2LZ-107 WT:B TR是美光科技推出的一款16Gb容量Mobile LPDDR3 SDRAM。该器件采用256M x 64的存储结构,在1.2V低电压下工作,核心时钟频率达到933MHz,能够为系统提供高带宽的数据传输能力,同时显著优化整体功耗表现。

该芯片采用216-WFBGA表面贴装封装,支持-30°C至85°C的宽工作温度范围,确保了在各类环境下的稳定运行。其卷带包装形式便于自动化生产,主要面向智能手机、平板、车载系统及工业嵌入式设备等需要高性能、低功耗内存解决方案的应用领域。

  • 型号:MT52L256M64D2LZ-107 WT:B TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:216-FBGA(12x12)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 16GBIT 933MHZ 216FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR3
  • 存储容量:16Gb
  • 存储器组织:256M x 64
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.2V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:216-WFBGA
  • 供应商器件封装:216-FBGA(12x12)
  • 想获取MT52L256M64D2LZ-107 WT:B TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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