MT29F2T08GELBEJ4:B TR

MT29F2T08GELBEJ4:B TR是美光科技生产的一款2Tb（256GB）容量NAND闪存芯片，采用QLC（四层单元）技术与DDP（双管芯封装）设计。该组合实现了业界领先的存储密度，在紧凑的VBGA封装内提供了大容量存储解决方案，显著优化了单位存储成本。

该器件提供x8数据接口，兼容主流NAND闪存控制器，其卷带包装形式适合自动化大规模生产。作为一款有源器件，它面向需要经济型高密度存储的应用，为系统设计提供了可靠的核心存储单元。

• 制造商产品型号：MT29F2T08GELBEJ4:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：QLC 2T 256GX8 VBGA DDP
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：-
• 存储器格式：-
• 技术：-
• 存储容量：-
• 存储器接口：-
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：-
• 工作温度：-
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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