NAND512R3A2SE06

NAND512R3A2SE06是美光科技推出的一款512Mb（64M x 8）容量并行接口NAND闪存芯片。该器件采用非易失性存储技术，提供可靠的数据保持能力，其核心优势在于50ns的页写入与访问时间，能够支持需要较快数据更新速度的应用场景。

芯片工作在1.7V至1.95V的低电压范围，有助于实现低功耗设计，同时其-40°C至85°C的工业级工作温度范围确保了在苛刻环境下的稳定运行。这款并行接口闪存适用于需要直接、高效对接微控制器并注重成本与可靠性的嵌入式存储解决方案。

• 制造商产品型号：NAND512R3A2SE06
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 512MBIT PARALLEL
• 产品系列：存储器
• 包装：散装
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：512Mb（64M x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：50ns
• 访问时间：50ns
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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