MT29F2G16ABDHC-ET:D TR

MT29F2G16ABDHC-ET:D TR是美光科技生产的一款2Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口，组织架构为128M x 16位。该器件基于非易失性闪存技术，数据断电后不会丢失，为核心系统参数、应用程序代码或用户数据提供了可靠的存储介质。

其核心特性包括1.7V至1.95V的低工作电压，有利于实现系统级低功耗设计；同时具备-40°C至85°C的宽温工作能力，满足工业及严苛环境应用对温度适应性的要求。芯片采用63-VFBGA小型化封装，以表面贴装形式为空间紧凑的嵌入式设计提供了高密度存储解决方案。

• 型号:MT29F2G16ABDHC-ET:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（10.5x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:128M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（10.5x13）
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