MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F TR

MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F TR是美光科技推出的一款4Gb（256M x 16）容量、采用16位并行接口的NAND闪存芯片。该器件基于非易失性闪存技术，提供可靠的数据存储，其2.7V至3.6V的宽电压供电范围增强了系统设计的灵活性。

作为符合AEC-Q100标准的汽车级（Automotive）产品，该芯片具备-40°C至105°C的扩展工作温度范围，确保了在极端环境下的稳定性和耐久性。其63-VFBGA封装和卷带（TR）包装形式，优化了表面贴装工艺的适用性，适合要求高可靠性与自动化生产的大规模应用。

• 制造商产品型号：MT29F4G16ABAFAH4-AATES:F TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：Automotive, AEC-Q100
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：4Gb（256M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：-40°C ~ 105°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：63-VFBGA
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