MT29F2G08ABBEAHC:E TR

MT29F2G08ABBEAHC:E TR是美光科技生产的一款2Gb容量NAND闪存芯片，采用8位并行接口。该器件工作电压范围为1.7V至1.95V，支持0°C至70°C的商用温度范围，采用63-VFBGA封装，适合表面贴装工艺。

其核心卖点在于提供了256M x 8的存储组织方式，通过并行接口实现直接、高效的数据存取，适用于对接口复杂度要求不高但需可靠非易失存储的应用。作为已停产器件，其在既有设计维护和特定成本敏感型项目中仍具应用价值。

• 型号:MT29F2G08ABBEAHC:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（10.5x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（10.5x13）
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