MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR是美光科技生产的一款2Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和256M x 8位的存储结构。该器件属于非易失性存储器，能够在断电后永久保存数据，核心卖点在于其宽电压（2.7V-3.6V）与宽温（-40°C至85°C）工作能力，确保了在恶劣环境下的高可靠性。
芯片采用63-VFBGA小型化封装，支持表面贴装，适用于空间紧凑的设计。其工业级的温度规格和稳定的性能，使其成为工业控制、汽车电子、网络设备及高端消费电子等领域中，对数据存储有持续性和稳定性要求的应用的坚实硬件基础。
- 型号:MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:最后售卖
- 南皇电子 可编程:已验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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