MT29F2G08ABBEAH4:E TR是美光科技生产的一款2Gb（256M x 8）容量NAND闪存芯片，采用并联接口和63-VFBGA封装。它基于非易失性闪存技术，提供了一种经济高效的大容量存储解决方案。
该器件工作在1.7V至1.95V的低电压范围，功耗表现优异，表面贴装型设计便于集成。其商业级温度范围（0°C至70°C）使其适用于广泛的消费电子和工业应用环境，如存储程序代码、用户数据或多媒体内容。
- 型号:MT29F2G08ABBEAH4:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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