MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E TR是一款由美光科技制造的2Gb（256M x 8位）并行接口NAND闪存芯片，采用63-VFBGA表面贴装封装。该器件基于非易失性闪存技术，工作电压为1.7V至1.95V，可在-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定运行。
其核心卖点在于采用成熟的并联架构，提供直接、高效的数据通路，无需复杂时钟管理。2Gb的存储容量与x8位宽组织，平衡了存储密度与访问效率，适用于需要可靠固件存储或中等数据缓冲的应用。尽管产品状态已停产，但其经过验证的设计在要求长期稳定性的工业嵌入式系统中仍具参考价值。
- 型号:MT29F2G08ABBEAH4-ITX:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:已验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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