MT29F256G08CBCBBJ4-37ES:B TR

MT29F256G08CBCBBJ4-37ES:B TR是美光科技生产的一款256Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和132-VBGA封装。其核心架构基于闪存技术，组织为32G x 8位，为非易失性存储器，确保数据在断电后持久保存。

该器件支持高达267MHz的时钟频率，配合并联接口可实现高速数据传输，供电电压范围为2.7V至3.6V。其工作温度范围为0°C至70°C，采用表面贴装型，适用于商业温度环境下的高密度PCB设计。这些参数共同指向其在大容量、高带宽存储解决方案中的应用定位。

• 制造商产品型号：MT29F256G08CBCBBJ4-37ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 256GBIT PAR 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：256Gb（32G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：267MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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