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MICRON
MT48H16M16LFBF-75:G TR的图片

MT48H16M16LFBF-75:G TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA
原厂封装:封装:54-VFBGA(8x9)
优势价格,MT48H16M16LFBF-75:G TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT48H16M16LFBF-75:G TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT48H16M16LFBF-75:G TR 是美光科技生产的一款256Mb容量移动低功耗SDRAM(LPSDR)。该器件采用16M字深、16位宽的并行接口组织方式,核心工作电压为1.7V至1.95V,专为优化系统功耗而设计,适用于电池驱动的便携设备。

其关键性能参数包括最高133MHz的时钟频率、5.4ns的快速访问时间以及15ns的写周期时间,能够提供高效的数据吞吐率。该芯片采用54-VFBGA小型化表面贴装封装,工作温度范围为0°C至70°C,满足了商业级移动应用对空间和环境的严格要求。

  • 型号:MT48H16M16LFBF-75:G TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:54-VFBGA(8x9)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 256MBIT PAR 54VFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - 移动 LPSDR
  • 存储容量:256Mb
  • 存储器组织:16M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:133 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:5.4 ns
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:54-VFBGA
  • 供应商器件封装:54-VFBGA(8x9)
  • 想获取MT48H16M16LFBF-75:G TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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