MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR 是美光科技推出的一款2Gb（256M x 8）并行接口NAND闪存芯片。该器件采用63-VFBGA封装，工作电压为1.7V至1.95V，支持表面贴装，并具备-40°C至85°C的宽温工作能力，专为要求高可靠性的应用而设计。
其核心卖点在于将2Gb的高密度存储与工业级的稳健性相结合。并行接口确保了高效的数据传输，而宽电压和宽温度范围则使其能够适应从消费电子到汽车、工业控制等多样化的严苛环境。作为一款有源的非易失性存储器，它为系统固件和数据存储提供了可靠的解决方案。
- 型号:MT29F2G08ABBEAH4-AITX:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:最后售卖
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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