MT29F2G08ABAEAWP-E:E是美光科技生产的一款2Gb（256M x 8）容量NAND闪存芯片，采用并行接口和48-TSOP封装。它提供了一种高密度、非易失性的数据存储解决方案，适用于需要可靠固件及数据存储的嵌入式系统。
该器件工作电压为2.7V至3.6V，兼容标准的3.3V逻辑电平，设计集成简便。其商业级工作温度范围（0°C至70°C）满足多数消费电子及工业控制应用的环境要求。作为一款成熟的并联NAND闪存，它以页编程和块擦除的典型操作模式，为成本敏感型的大容量存储应用提供了经过市场验证的选择。
- 型号:MT29F2G08ABAEAWP-E:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP I
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP I
- 想获取MT29F2G08ABAEAWP-E:E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
