MT29F2G08ABAEAH4:E 是美光科技推出的一款2Gb（256M x 8位）容量的并行接口NAND闪存芯片。它采用非易失性存储技术，可在断电后长期保存数据，其标准的异步NAND接口便于与多种主控制器连接，电压供应范围为2.7V至3.6V。
该器件采用63-VFBGA表面贴装封装，提供紧凑的物理尺寸，工作温度范围为0°C至70°C，适用于商业级应用环境。其核心价值在于提供了可靠的、中等密度的存储解决方案，适用于需要固件存储或数据记录的嵌入式系统。
- 型号:MT29F2G08ABAEAH4:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:最后售卖
- 南皇电子 可编程:已验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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