MT29F2G08ABAEAH4-E:E是美光科技生产的一款2Gb（256M x 8）容量NAND闪存存储器。该器件采用并行接口，电压供应范围为2.7V至3.6V，采用63-ball VFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，适用于商业级应用环境。
其核心卖点在于提供了标准的异步并行NAND接口解决方案，2Gb的存储容量与x8位宽I/O的组合，能够满足多种嵌入式系统对固件、参数及用户数据存储的需求。作为一种非易失性存储器，它确保了数据在断电后的持久保存。这款芯片主要面向需要可靠、中等容量闪存存储且对接口复杂度敏感的设计。
- 型号:MT29F2G08ABAEAH4-E:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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