MT47H32M16NF-25E IT:H TR是美光科技推出的一款512Mb容量DDR2 SDRAM芯片，采用32M x 16位的组织架构。该器件基于并联接口，工作时钟频率为400MHz，实现800MT/s的数据传输速率，其快速的访问时间（400ps）和写周期时间（15ns）有效保障了系统的高速数据交换需求。
芯片采用1.8V核心电压供电，功耗控制出色，并支持-40°C至85°C的宽温工作范围，满足工业级应用的可靠性要求。其84-TFBGA表面贴装封装形式兼顾了高密度集成与良好的散热特性。这款有源状态的易失性存储器适用于需要中等容量、高带宽且运行环境多样的嵌入式及网络通信系统。
- 型号:MT47H32M16NF-25E IT:H TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:84-FBGA（8x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:32M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:84-TFBGA
- 供应商器件封装:84-FBGA（8x12.5）
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