MT29F6T08ETCBBM5-37ES:B TR

MT29F6T08ETCBBM5-37ES:B TR是美光科技推出的一款6Tb（768GB）容量、采用并行接口的NAND闪存芯片。该器件基于非易失性存储技术，时钟频率可达267MHz，支持2.7V至3.6V的宽电压供电，工作温度范围为0°C至70°C，适用于商业级应用环境。

其核心卖点在于将高存储密度（768G x 8位组织）与高速并行数据传输能力相结合，能够满足对大数据吞吐量有严格要求的场景。芯片以卷带形式提供，便于规模化生产集成，是企业级存储、数据中心及工业控制系统中实现高效、可靠数据存储的关键组件。

• 制造商产品型号：MT29F6T08ETCBBM5-37ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 6TB PARALLEL 267MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：6Tb（768G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：267MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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