MT29F2G01AAAEDH4:E TR是美光科技生产的一款2Gb容量SPI接口NAND闪存存储器。该器件采用非易失性存储技术，确保数据在断电后得以保存，其核心卖点在于通过高效的串行外设接口（SPI）实现了高密度存储与简化系统设计的平衡。
芯片工作在2.7V至3.6V电压范围内，采用紧凑的63-VFBGA表面贴装封装，显著节省电路板空间，适用于空间受限的嵌入式应用。其商业级工作温度（0°C至70°C）和卷带包装形式，使其能够方便地集成到各类消费电子和工业控制产品的自动化生产流程中。
- 型号:MT29F2G01AAAEDH4:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT SPI 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:2G x 1
- 存储器接口:SPI
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
- 想获取MT29F2G01AAAEDH4:E TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
