MT29F1G08ABBDAH4:D TR是美光科技生产的一款1Gb容量NAND闪存芯片，采用128M x 8位的存储结构。该器件基于并联接口，提供高效的数据传输路径，并采用63-VFBGA表面贴装封装，适用于空间受限的PCB设计。
其核心特性包括1.7V至1.95V的低电压工作范围，有助于降低系统整体功耗，以及0°C至70°C的标准商业工作温度范围。作为一款非易失性存储器，它能够确保数据在断电后长期保存，满足嵌入式系统中对固件、参数或用户数据可靠存储的需求。
- 型号:MT29F1G08ABBDAH4:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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