MT29F256G08EECDBJ4-5M:D TR

MT29F256G08EECDBJ4-5M:D TR是美光科技生产的一款256Gb容量、采用并联接口的NAND闪存芯片。该器件基于32G x 8的存储结构，采用132-VBGA封装，支持表面贴装，工作电压为2.7V至3.6V，工作温度范围为0°C至70°C。

其核心优势在于200MHz的高时钟频率与并联架构相结合，提供了出色的数据传输带宽，适合高速读写应用。作为非易失性存储器，它能够可靠地保存数据，主要面向需要大容量、高性能存储解决方案的领域，如企业存储、高端嵌入式系统和网络设备。

• 制造商产品型号：MT29F256G08EECDBJ4-5M:D TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 256GBIT PAR 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：256Gb（32G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：200MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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