MT46V32M16BN-5B:C TR是美光科技推出的一款512Mbit（32M x 16）DDR SDRAM芯片，采用并联接口和60-TFBGA表面贴装封装。该器件基于DDR技术，在200MHz时钟频率下运行，实现高效的双沿数据传输，其700ps的访问时间和15ns的写周期时间保证了快速的数据处理能力。
该芯片工作电压为2.5V~2.7V，工作温度范围为0°C至70°C，适用于商业级应用环境。其核心卖点在于512Mb的存储容量与16位宽数据总线相结合，提供了平衡的内存带宽，适合作为各类嵌入式系统中处理器的高速缓冲或主内存，以满足其对数据吞吐率和响应速度的要求。
- 型号:MT46V32M16BN-5B:C TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（10x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:32M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:700 ps
- 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
- 想获取MT46V32M16BN-5B:C TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
