MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D TR是美光科技推出的一款256Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口与3D NAND技术，提供32G x 8的存储组织方式。其核心优势在于高达167MHz的同步时钟频率与宽电压工作范围（2.7V~3.6V），支持高速数据读写操作，适用于对传输带宽有要求的嵌入式存储系统。
该芯片采用132引脚TBGA封装，以卷带形式供货，便于表面贴装生产。作为非易失性存储器，它在商业级温度范围（0°C~70°C）内提供可靠的数据存储，适用于需要中等容量、稳定性能的存储解决方案。其参数配置在工业控制、网络设备、存储模块等场景中具有典型应用价值。
- 型号:MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-TBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 132TBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND（MLC）
- 存储容量:256Gb
- 存储器组织:32G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:167 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:-
- 供应商器件封装:132-TBGA（12x18）
- 想获取MT29F256G08CKCDBJ5-6R:D TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
