MT29F2G08ABAEAH4-ITX:E TR是美光科技推出的一款2Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和256M x 8位的存储结构，提供高效的数据传输能力。其非易失性特性确保数据在断电后持久保存，适用于需要可靠存储的嵌入式系统。
该芯片工作电压为2.7V至3.6V，兼容标准3.3V供电环境，并支持-40°C至85°C的宽温操作，适应工业级应用需求。63-VFBGA表面贴装封装优化了空间利用，便于集成到高密度设计中，同时卷带或剪切带包装形式提升了生产效率。
- 型号:MT29F2G08ABAEAH4-ITX:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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