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MICRON
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR的图片

MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 556WFBGA
原厂封装:封装:556-WFBGA(12.4x12.4)
优势价格,MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR是一款由美光科技生产的32Gb容量移动LPDDR4 SDRAM。该器件采用512M x 64的组织结构,在2133MHz的时钟频率下运行,可提供高达4266MT/s的数据速率,为系统带来卓越的数据吞吐性能。

其核心优势在于高带宽与低功耗的结合。1.1V的工作电压配合LPDDR4技术固有的低功耗特性,使其成为电池驱动设备的理想选择。同时,其-30°C至85°C的宽工作温度范围和紧凑的556-WFBGA表面贴装封装,确保了在各类移动及嵌入式应用中的可靠性与设计灵活性。

  • 型号:MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:556-WFBGA(12.4x12.4)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 32GBIT 2.133GHZ 556WFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:32Gb
  • 存储器组织:512M x 64
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2.133 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:556-WFBGA
  • 供应商器件封装:556-WFBGA(12.4x12.4)
  • 想获取MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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