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MICRON
MT41K256M8DA-125:M的图片

MT41K256M8DA-125:M

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
原厂封装:封装:78-FBGA(8x10.5)
优势价格,MT41K256M8DA-125:M的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT41K256M8DA-125:M的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT41K256M8DA-125:M是美光科技生产的一款2Gb容量DDR3L SDRAM芯片。该器件采用256M x 8位的组织架构,运行时钟频率为800MHz,可实现高达1600MT/s的数据传输速率,为系统提供充沛的内存带宽。

其核心优势在于采用了低功耗的DDR3L技术,标准工作电压为1.35V,范围在1.283V至1.45V之间,有效降低了整体系统的功耗与发热。该芯片访问时间为13.75ns,采用78-TFBGA封装,工作温度范围为0°C至95°C(TC),适用于对性能、功耗和可靠性有综合要求的各类嵌入式及消费电子应用。

  • 型号:MT41K256M8DA-125:M
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:78-FBGA(8x10.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR3L
  • 存储容量:2Gb
  • 存储器组织:256M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:13.75 ns
  • 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:78-TFBGA
  • 供应商器件封装:78-FBGA(8x10.5)
  • 想获取MT41K256M8DA-125:M的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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